-
1 reactive ion-beam etching
Optics: RIBEУниверсальный русско-английский словарь > reactive ion-beam etching
-
2 ion-beam assisted reactive etching
Microelectronics: IBAEУниверсальный русско-английский словарь > ion-beam assisted reactive etching
-
3 реактивное ионно-лучевое травление
Engineering: reactive ion-beam etchingУниверсальный русско-английский словарь > реактивное ионно-лучевое травление
-
4 реактивное травление с применением ионного пучка
Microelectronics: ion-beam assisted reactive etchingУниверсальный русско-английский словарь > реактивное травление с применением ионного пучка
См. также в других словарях:
reactive ion-beam etching — reaktyvusis jonpluoštis ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive ion beam etching vok. reaktives Ionenstrahlätzen, n rus. реактивное ионно пучковое травление, n pranc. décapage par faisceau d ions réactifs, m … Radioelektronikos terminų žodynas
Ion beam — An ion beam is a type of particle beam consisting of ions. Ion beams have many uses in electronics manufacturing (principally ion implantation) and other industries. Today s ion beam sources are typically derived from the mercury vapor thrusters… … Wikipedia
Ion-beam sculpting — Ion Beam scultping is a term used to describe a two step process to make solid state nanopores. The term itself was coined by Golovchenko and co workers at Harvard in the paper Ion beam sculpting at nanometer length scales [J. Li, D. Stein, C.… … Wikipedia
Deep reactive-ion etching — (DRIE) is a highly anisotropic etch process used to create deep penetration, steep sided holes and trenches in wafers, with aspect ratios of 20:1 or more. It was developed for microelectromechanical systems (MEMS), which require these features,… … Wikipedia
Gas cluster ion beam — Gas Cluster Ion Beams (GCIB) is a new technology for nano scale modification of surfaces. It can smooth a wide variety of surface material types to within an angstrom of roughness without subsurface damage. It is also used to chemically alter… … Wikipedia
Electron beam physical vapor deposition — or EBPVD is a form of physical vapor deposition in which a target anode is bombarded with an electron beam given off by a charged tungsten filament under high vacuum. The electron beam causes atoms from the target to transform into the gaseous… … Wikipedia
Trockenätzen — Unter dem Begriff Trockenätzen fasst man in der Halbleitertechnologie und in der Mikrosystemtechnik eine Gruppe von subtraktiven (abtragenden) Mikrostrukturverfahren zusammen, die nicht auf nasschemischen Reaktionen (wie nasschemisches Ätzen,… … Deutsch Wikipedia
décapage par faisceau d'ions réactifs — reaktyvusis jonpluoštis ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive ion beam etching vok. reaktives Ionenstrahlätzen, n rus. реактивное ионно пучковое травление, n pranc. décapage par faisceau d ions réactifs, m … Radioelektronikos terminų žodynas
reaktives Ionenstrahlätzen — reaktyvusis jonpluoštis ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive ion beam etching vok. reaktives Ionenstrahlätzen, n rus. реактивное ионно пучковое травление, n pranc. décapage par faisceau d ions réactifs, m … Radioelektronikos terminų žodynas
reaktyvusis jonpluoštis ėsdinimas — statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive ion beam etching vok. reaktives Ionenstrahlätzen, n rus. реактивное ионно пучковое травление, n pranc. décapage par faisceau d ions réactifs, m … Radioelektronikos terminų žodynas
реактивное ионно-пучковое травление — reaktyvusis jonpluoštis ėsdinimas statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. reactive ion beam etching vok. reaktives Ionenstrahlätzen, n rus. реактивное ионно пучковое травление, n pranc. décapage par faisceau d ions réactifs, m … Radioelektronikos terminų žodynas